今日次新股我們一起梳理一下新潔能，公司的主營業(yè)務(wù)為 MOSFET、IGBT 等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計及銷售，公司銷售的產(chǎn)品按照是否封裝可以分為芯片和功率器件。
公司產(chǎn)品系列齊全，廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車/充電樁、智能裝 備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。
公司為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計企業(yè)之一，在中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會發(fā)布的 2016 年、2017 年、2018 年和 2019 年中國半導(dǎo)體功率器件企業(yè)排行榜中，公司連續(xù)四年名列“中國半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè)”。
公司基于全球半導(dǎo)體功率器件先進理論技術(shù)開發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品，是國內(nèi)率先掌握超結(jié)理論技術(shù)，并量產(chǎn)屏蔽柵功率 MOSFET 及超結(jié)功率 MOSFET 的企業(yè)之一，是國內(nèi)最早同時擁有溝槽型功率 MOSFET、超結(jié)功率 MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET 及 IGBT 四大產(chǎn)品平臺的本土企業(yè)之一，為國內(nèi) MOSFET 等功率器件市場占有率排名前列的本土企業(yè)。
半導(dǎo)體是一種導(dǎo)電性可受控制，常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性受控制的范圍為從絕緣體到幾個歐姆之間。半導(dǎo)體具有五大特性：摻雜性（在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性）、熱敏性、光敏性（在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化）、負(fù)電阻率溫度特性，整流特性。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為電子元器件產(chǎn)業(yè)中最重要的組成部分，在電子、能源行業(yè)的眾多細(xì)分領(lǐng)域均都有廣泛的應(yīng)用。
半導(dǎo)體產(chǎn)品可劃分為集成電路、分立器件、其他器件等多類產(chǎn)品，其中集成電路是把基本的電路元件如晶體管、二極管、電阻、電容、電感等制作在一個小型晶片上然后封裝起來形成具有多功能的單元，主要實現(xiàn)對信息的處理、存儲和轉(zhuǎn)換；分立器件是指具有單一功能的電路基本元件，主要實現(xiàn)電能的處理與變換，而半導(dǎo)體功率器件是分立器件的重要部分。
分立器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品；其中，MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，相比于功率三極管、晶閘管等電流控制型開關(guān)器件，具有易于驅(qū)動、開關(guān)速度快、損耗低等特點。公司生產(chǎn)的MOSFET系列產(chǎn)品和IGBT系列產(chǎn)品屬于國內(nèi)技術(shù)水平領(lǐng)先的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。
全球半導(dǎo)體行業(yè)近二十年來發(fā)展迅速，已形成龐大的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。在移動智能互聯(lián)終端、PC、平板電視以及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域等市場需求拉升的強力推動下，全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售規(guī)模從 2007 年的 2,554.85 億美元增長到 2017 年的 4,122 億美元，行業(yè)銷售額年均復(fù)合增長率達(dá)到 4.90%。2018 年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售規(guī)模達(dá)到 4,687.78 億美元，較 2017 年增長 13.72%。根據(jù) WSTS 統(tǒng)計，2019 年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售規(guī)模有所下滑，銷售規(guī)模較上年同期下滑 12.09%。
從下游市場應(yīng)用來看，半導(dǎo)體產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域集中于通信（含手機）、計算機、消費電子、汽車電子、工業(yè)、醫(yī)療、政府/軍事等領(lǐng)域。市場研究機構(gòu)研究表明，半導(dǎo)體產(chǎn)品在通信（含手機）和計算機領(lǐng)域的應(yīng)用合計占比達(dá)到約74.0%，消費電子占比 10.7%，汽車電子和工業(yè)、醫(yī)療領(lǐng)域占比 14.4%，政府/軍事占比 0.9%。而且，隨著電子產(chǎn)品的升級，半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品中應(yīng)用將逐步提高，未來在下游電子產(chǎn)品市場需求增長的帶動下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將保持較好的增長態(tài)勢。
改革開放以來，伴隨著我國國民經(jīng)濟的整體迅速發(fā)展和工業(yè)體系的不斷健全，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為我國建設(shè)信息化社會、實現(xiàn)綠色經(jīng)濟、確保國防安全的基礎(chǔ)性和戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。特別是，受益于我國不斷出臺的鼓勵半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)和財政政策，近年來我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不斷取得突破。
我國半導(dǎo)體行業(yè)的固定資產(chǎn)投資的規(guī)模和增速均保持較高水平。進入新世紀(jì)以來，我國經(jīng)濟發(fā)展不斷轉(zhuǎn)型升級，新興產(chǎn)業(yè)占國民經(jīng)濟的比重不斷提升，計算機、消費電子、通信等電子產(chǎn)業(yè)增長及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)升級直接拉動了對上游半導(dǎo)體產(chǎn)品需求的迅速增長。市場需求的增長直接催動我國半導(dǎo)體行業(yè)的固定投資，
近年來，我國半導(dǎo)體行業(yè)的固定投資維持較快增速，累計投資規(guī)模持續(xù)擴大。據(jù)工信部統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2016 年我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)完成固定資產(chǎn)投資 1,001.13 億元，其中半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)完成固定資產(chǎn)投資額 121.56 億元，同比增長 96.4%。2017年我國電子信息制造業(yè) 500 萬元以上項目完成固定資產(chǎn)投資額比上年增長我國半導(dǎo)體行業(yè)的市場需求不斷擴大。2011 年，我國半導(dǎo)體行業(yè)的市場需求規(guī)模約為 9,238.8 億元，至 2018 年市場需求規(guī)模達(dá)到 18,731.6 億元，市場需求的年均復(fù)合增長率達(dá) 10.63%，呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢。
隨著國家對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的相關(guān)鼓勵政策持續(xù)推出以及下游行業(yè)迅速發(fā)展等多重利好因素的推動，國內(nèi)半導(dǎo)體市場將迎來更廣闊的前景，市場需求將保持高速增長。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會預(yù)測，2019 年至 2021 年我國半導(dǎo)體市場需求將有望分別達(dá)到 19,004.4 億元、20,142.00 億元和 22,770.9 億元。在全球半導(dǎo)體市場步入下行周期的大環(huán)境下，2019 年中國半導(dǎo)體市場增速預(yù)期下降，2019 年同比增長率預(yù)計為 1.5%。但根據(jù)上述預(yù)測，2020 年及 2021 年半導(dǎo)體市場同比增速將分別擴大至 5.99%和 13.05%。
在半導(dǎo)體行業(yè)投資規(guī)模和半導(dǎo)體下游行業(yè)需求均不斷擴大的勢頭的帶動下，我國半導(dǎo)體行業(yè)市場銷售規(guī)模不斷攀升。從 2000 年至 2015 年，我國半導(dǎo)體市場銷售增速領(lǐng)跑全球，達(dá)到 21.4%，遠(yuǎn)高于全球半導(dǎo)體年均增速 3.6%。2011 年至2017 年，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模擴大了 2 倍以上，根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2018 年我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)銷售收入 9,189.8 億元，與 2017 年的7,885.2 億元同比增長 16.5%。目前，我國半導(dǎo)體占全球市場份額已超過 50%，成為全球半導(dǎo)體的核心市場。
然而，我國半導(dǎo)體行業(yè)進口依賴仍然顯著，亟需實現(xiàn)進口替代。根據(jù)海關(guān)進出口統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018 年，我國半導(dǎo)體產(chǎn)品進口總額超過 3300 億美元，達(dá)到歷史新高。
分立器件行業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中一個重要分支。據(jù)國家統(tǒng)計局規(guī)模以上工業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，近幾年來，分立器件行業(yè)規(guī)模以上企業(yè)主營業(yè)務(wù)收入占半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模以上企業(yè)主營業(yè)務(wù)收入的比重維持在 22%-25%之間。
半導(dǎo)體分立器件是電力電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)之一，也是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一，主要用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻等，具有應(yīng)用范圍廣、用量大等特點，在消費電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動控制、計算機及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多國民經(jīng)濟領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用。從細(xì)分市場來看，半導(dǎo)體分立器件受益于智能制造、電力改造、電子通訊升級、互聯(lián)網(wǎng)等普及的趨勢，其市場也逐步向高端推進。近年來，受益于國際電子制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移，以及下游行業(yè)需求的拉動，我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)保持了較快的發(fā)展態(tài)勢。
相較于國際半導(dǎo)體行業(yè)集中度較高、技術(shù)創(chuàng)新能力強等特點，我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)起步晚，受制于國際半導(dǎo)體公司嚴(yán)密的技術(shù)封鎖，大多依靠自主創(chuàng)新。目前，我國已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場，中國半導(dǎo)體分立器件收入占全球比重上升趨勢明顯。據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2017 年我國半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模已達(dá)到 2,473.9 億元，2018 年，我國半導(dǎo)體分立器件全年銷售規(guī)模已達(dá) 2,658.4 億元，較 2017 年增長7.50%。但從技術(shù)發(fā)展水平看，目前國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)整體技術(shù)水平仍與國際領(lǐng)先水平存在一定的差距。隨著國家鼓勵政策的大力扶持、半導(dǎo)體分立器件國產(chǎn)化趨勢顯現(xiàn)以及下游應(yīng)用領(lǐng)域需求增長的拉升，我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)蘊含著巨大的發(fā)展契機。
2011 年，我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的整體銷售規(guī)模為 1,388.6 億元，至 2016年銷售規(guī)模已達(dá) 2,237.7 億元；2016 年以來，隨著國內(nèi)經(jīng)濟結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型升級，物聯(lián)網(wǎng)、新能源、新材料、節(jié)能環(huán)保和新一代通信網(wǎng)絡(luò)等新興行業(yè)強力發(fā)展，推動了我國電子制造產(chǎn)業(yè)快速回升，大大拉升了對上游半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品的需求。2018 年，我國半導(dǎo)體分立器件全年銷售規(guī)模已達(dá) 2,658.4 億元，較 2017 年增長7.50%。2011 年至 2018 年，我國半導(dǎo)體分立器件的銷售規(guī)模年均復(fù)合增長率達(dá)到 9.72%。
從市場需求來看，2011 年至 2018 年國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件市場需求保持了 11.41%的年均復(fù)合增長；2018年國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件市場需求達(dá)到 2,699.8 億元，同比 2017 年的 2,458.1 億元增長率達(dá)到 9.8%，繼續(xù)保持著高速增長趨勢。其中，半導(dǎo)體功率器件仍是帶動中國半導(dǎo)體分立器件市場加速增長的主要動力。
根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會預(yù)測，2019年中國半導(dǎo)體分立器件市場需求將達(dá)到 2,662.0 億元，市場需求預(yù)期略有下滑；到 2021 年分立器件的市場需求將達(dá)到 3,010.6 億元。從中長期來看，國內(nèi)半導(dǎo)體市場需求仍將呈現(xiàn)較快的增長勢頭。
市場研究機構(gòu) IC Insights 指出在各類半導(dǎo)體功率器件組件中，未來增長最強勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管，具有導(dǎo)通電阻小，損耗低，驅(qū)動電路簡單，熱阻特性好等優(yōu)點，特別適合用于電腦、手機、移動電源、車載導(dǎo)航、電動交通工具、UPS 電源等電源控制領(lǐng)域。隨著消費電子、汽車電子和工業(yè)電子為主的市場銷售穩(wěn)定增長，2016 年MOSFET 市場規(guī)模持續(xù)增長。得益于市場對高效能電子器件的需求增加，預(yù)計MOSFET 市場未來將繼續(xù)穩(wěn)定增長。2016 年，全球 MOSFET 市場規(guī)模達(dá)到 62億美元，預(yù)計 2016 年至 2022 年間 MOSFET 市場的復(fù)合年增長率將達(dá)到 3.4%；預(yù)計到 2022 年，全球 MOSFET 市場規(guī)模將接近 75 億美元。特別地，隨著全球新能源汽車規(guī)模的增長，2016 年至 2022 年間 MOSFET 在汽車應(yīng)用領(lǐng)域的市場需求預(yù)計將以 5.1%的復(fù)合年增長率快速增長；到 2022 年，其在汽車應(yīng)用領(lǐng)域的需求將超越計算機和數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域，占總體需求市場的 22%。據(jù) IHS 統(tǒng)計，國內(nèi)功率 MOSFET 市場主要廠商是英飛凌（Infineon），2016 年市場份額超過 25%，與安森美（ON Semiconductor）占據(jù)了國內(nèi)將近一半市場，因此，在國內(nèi) MOSFET市場中，國內(nèi)廠商進口替代的潛力巨大。
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式半導(dǎo)體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和雙極型三極管（BJT）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，IGBT驅(qū)動功率小而飽和壓降低，非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)，如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等。
IGBT 是新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，成本占到新能源汽車整車成本的 10%，占充電樁成本的 20%。由于未來幾年新能源汽車/充電樁等新興市場的快速發(fā)展，IGBT 等半導(dǎo)體功率器件將迎來黃金發(fā)展期。在全球市場上，未來 IGBT 市場規(guī)模的快速增長主要受益于其在節(jié)能、能效提升等方面發(fā)揮的重要作用。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，到 2020 年全球 IGBT 單管市場空間達(dá)到 60 億美元左右，市場空間巨大。預(yù)計未來五年我國新能源汽車和充電樁市場將帶動 200 億元 IGBT 模塊的國內(nèi)市場需求4。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，到 2018年，國內(nèi) IGBT 市場規(guī)模已達(dá) 161.9 億元，2010 年至 2018 年復(fù)合增長率達(dá)到14.77%，我國 IGBT 起步整體較晚，未來進口替代空間巨大。
半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的上游主要為半導(dǎo)體硅片供應(yīng)商和其他金屬材料制造商，其中，半導(dǎo)體硅片為半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的主要原材料。目前，高端半導(dǎo)體硅片主要為國外壟斷，硅片生產(chǎn)企業(yè)在上游產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)較大話語權(quán)。
半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的下游分布極為廣泛，應(yīng)用市場包括消費電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。受益于國家經(jīng)濟轉(zhuǎn)型升級和科技進步，半導(dǎo)體分立器件下游產(chǎn)品不斷更新?lián)Q代，新產(chǎn)品相繼面世，其應(yīng)用將更為廣泛。
一、中國半導(dǎo)體功率器件設(shè)計領(lǐng)軍者
新潔能成立于2013年1月，專業(yè)從事MOSFET（金屬—氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計及銷售。公司是專業(yè)化垂直分工廠商，芯片主要由公司設(shè)計方案后交由芯片代工企業(yè)進行生產(chǎn)，功率器件主要由公司委托外部封裝測試企業(yè)對芯片進行封測代工而成，公司已初步完成先進封裝測試生產(chǎn)線的建設(shè)，將少部分芯片自主封裝后對外銷售。
二、業(yè)務(wù)分析
2016-2019年，營業(yè)收入由4.22億元增長至7.73億元，復(fù)合增長率22.36%，19年同比增長7.96%，2020H1實現(xiàn)營收同比增長17.04%至3.84億元；歸母凈利潤由0.36億元增長至0.98億元，復(fù)合增長率39.63%，19年同比下降30.50%，2020H1實現(xiàn)歸母凈利潤同比增長47.84%至0.55億元；扣非歸母凈利潤由0.34億元增長至0.88億元，復(fù)合增長率37.30%，19年同比下降37.14%，2020H1實現(xiàn)扣非歸母凈利潤同比增長51.33%至0.53億元；經(jīng)營活動現(xiàn)金流由0億元增長至0.75億元，19年同比下降20.21%，2020H1實現(xiàn)經(jīng)營活動現(xiàn)金流同比下降174.80%至-0.20億元。
分產(chǎn)品來看，2019年功率器件實現(xiàn)營收5.69億元，占比73.65%；芯片實現(xiàn)營收2.02億元，占比26.21%；其他項目實現(xiàn)營收0.01億元。
2019年前五大客戶實現(xiàn)營收1.29億元，占比16.70%，其中第一大客戶晶匯電子實現(xiàn)營收4444.19萬元，占比5.75%。
三、核心指標(biāo)
2016-2019年，毛利率由18.89%提高至18年31.63%，19年回落至20.73%；期間費用率17年上漲至階段高點8.26%，主要是由于股份支付導(dǎo)致管理費用率17年上漲至階段高點，隨后期間費用率逐年下降至2.89%，其中銷售費用率維持1%以上，管理費用率17年上漲至階段高點，隨后逐年下降至1.96%，財務(wù)費用率維持低位略有下降；利潤率由8.54%提高至18年19.76%，19年回落至12.71%，加權(quán)ROE17年下降至19.68%，18年提高至階段高點33.72%，19年回落至18.8%。
四、杜邦分析
凈資產(chǎn)收益率=利潤率*資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率*權(quán)益乘數(shù)
由圖和數(shù)據(jù)可知，17年凈資產(chǎn)收益率的下降主要是由于資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率和權(quán)益乘數(shù)的下降，18年凈資產(chǎn)收益率升至階段高點主要是由于利潤率提高至階段高點，19年凈資產(chǎn)收益率回落主要是由于利潤率和資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率的下降。
五、研發(fā)支出
17-19年公司研發(fā)費用分別為 2,162.27 萬元、3,283.88 萬元和 3,449.53 萬元，占營業(yè)收入的比例分別為 4.29%、4.59%和 4.47%，整體保持穩(wěn)定。
看點：
受益于國家經(jīng)濟轉(zhuǎn)型升級和科技進步，半導(dǎo)體分立器件下游產(chǎn)品不斷更新?lián)Q代，新產(chǎn)品相繼面世，其應(yīng)用將更為廣泛。我國半導(dǎo)體行業(yè)進口依賴仍然顯著，國產(chǎn)替代空間廣闊。
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